柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。

晶體管正常使用過(guò)程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。