半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。