實際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。