問(wèn)答題解釋水的去離子化。在什么電阻率級(jí)別下水被認(rèn)為已經(jīng)去離子化？
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最新試題
1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。
題型：填空題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
題型：判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
題型：填空題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
題型：填空題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。
題型：填空題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題