半導(dǎo)體材料章節(jié)練習(xí)(2019.07.09)

來源：考試資料網(wǎng)

1.名詞解釋輕摻雜漏（LDD）

為了減小電壓擊穿效應(yīng)，在緊鄰溝道處制造一輕摻雜漏區(qū)的MOSFET。

2.問答題簡述CZ法中雜質(zhì)摻入辦法及其選擇依據(jù)。

3.問答題解釋投射電子能顯微鏡。

參考答案：TEM把加速和聚集的電子束投射到非常薄的樣品上，電子與樣品中的電子碰撞而電子與樣品中的原子的碰撞而改變方向，從而產(chǎn)生立體...

4.問答題什么是層錯(cuò)？

參考答案：簡單的說，層錯(cuò)是在密排晶面上缺少或多余一層原子而構(gòu)成的缺陷，層錯(cuò)是一種“面缺陷”。層錯(cuò)也是硅晶體中常見的一種缺陷，層錯(cuò)對...

5.問答題產(chǎn)生紅外吸收的條件是什么？

參考答案：（1）振動(dòng)頻率與紅外光譜段的某段頻率相等。
（2）偶極距的變化。

6.名詞解釋突變結(jié)近似

認(rèn)為從中性半導(dǎo)體區(qū)到空間電荷區(qū)的空間電荷密度有一個(gè)突然的不連續(xù)。

7 半導(dǎo)體的載流子擴(kuò)散系數(shù)大小決定于其（）。

8.問答題影響硅單晶電化學(xué)腐蝕速度的因素有哪些？

參考答案：腐蝕液的成分、電極電位、緩沖劑的影響、腐蝕處理的溫度和攪拌的影響、光照的影響。

9.問答題光電導(dǎo)衰退法分為哪幾種?都有什么優(yōu)點(diǎn)?

參考答案：可分為高頻光電導(dǎo)和直流光電導(dǎo)；高頻光電導(dǎo)的優(yōu)點(diǎn)，無須切割成一定的幾何形狀，樣品較少受到污染，測試方法簡單，得到廣泛應(yīng)用。...

10.問答題簡述P型半導(dǎo)體。

參考答案：當(dāng)半導(dǎo)體中摻有受主雜質(zhì)時(shí)，主要靠受主提供空穴導(dǎo)電，這種依靠空穴導(dǎo)電的半導(dǎo)體叫做P型半導(dǎo)體。
例如：硅中摻有Ⅲ...