單項(xiàng)選擇題將PN結(jié)P區(qū)接電源負(fù)極,N區(qū)接電源正極,此時(shí)PN結(jié)處于()偏置。
A.正向
B.雙向
C.單向
D.反向
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1.單項(xiàng)選擇題以下屬于半導(dǎo)體的是()。
A.鍺
B.塑料
C.銅
D.云母
2.單項(xiàng)選擇題在放大電壓信號(hào)時(shí),通常希望放大電路的輸入電阻和輸出電阻分別為()。
A.輸入電阻小,輸出電阻大
B.輸入電阻小,輸出電阻小
C.輸入電阻大,輸出電阻小
D.輸入電阻大,輸出電阻大
3.單項(xiàng)選擇題三極管輸出特性曲線可分為三個(gè)區(qū),下列不屬于工作區(qū)的是()。
A.截止區(qū)
B.放大區(qū)
C.飽和區(qū)
D.擊穿區(qū)
4.單項(xiàng)選擇題NPN型硅管各極對(duì)地電位分別是V1=6V,V2=2.7V,V3=2V,則1,2,3分別為()。
A.基極、集電極、發(fā)射極
B.發(fā)射極、基極、集電極
C.集電極、發(fā)射極、基極
D.集電極、基極、發(fā)射極
5.單項(xiàng)選擇題測(cè)得三極管ib=30μA時(shí)ic=2.4mA,而ib=40μA時(shí)ic=3mA,則該管的交流電流放大系數(shù)β為()。
A.60
B.75
C.80
D.100
最新試題
?CD放大器的性能特征有()。?
題型:多項(xiàng)選擇題
?CS放大器中引入源極電阻RS,其作用有()。?
題型:多項(xiàng)選擇題
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時(shí),溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
題型:判斷題
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。
題型:多項(xiàng)選擇題
?10進(jìn)制計(jì)數(shù)器模塊在數(shù)字鐘系統(tǒng)中可作為以下哪些模塊的子模塊?()
題型:多項(xiàng)選擇題
?CS、CG和CD三種組態(tài)中,最適合做電壓放大器的還是CS放大器。
題型:判斷題
可以通過新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核?()
題型:多項(xiàng)選擇題
當(dāng)VGS=0時(shí),能夠?qū)ǖ腗OS管為()
題型:多項(xiàng)選擇題
?MOSFET源極漏極間的長(zhǎng)度L越大,溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
題型:判斷題
CG放大器因其輸入電阻過小,因此沒什么用處。
題型:判斷題