單項(xiàng)選擇題NPN型硅管各極對(duì)地電位分別是V1=6V,V2=2.7V,V3=2V,則1,2,3分別為()。

A.基極、集電極、發(fā)射極
B.發(fā)射極、基極、集電極
C.集電極、發(fā)射極、基極
D.集電極、基極、發(fā)射極


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2.單項(xiàng)選擇題PNP型硅管工作在放大狀態(tài),各極對(duì)地電位分別是V1=6V,V2=2.7V,V=2V,則1,2,3分別為()。

A.發(fā)射極、基極、集電極
B.集電極、基極、發(fā)射極
C.集電極、發(fā)射極、基極
D.基極、集電極、發(fā)射極

4.單項(xiàng)選擇題

測(cè)得電路中晶體三極管各電極相對(duì)于地的電位如圖,從而可判斷該晶體管工作在()。

A.飽和狀態(tài)
B.放大狀態(tài)
C.倒置狀態(tài)
D.截止?fàn)顟B(tài)

5.單項(xiàng)選擇題

工作在放大狀態(tài)的三極管兩個(gè)電極電流如圖,那么,第三個(gè)電極的電流大小、方向和管腳自左至右順序分別為()。

A.0.03mA 流出三極管ecb
B.0.03mA 流進(jìn)三極管ecb
C.0.03mA 流出三極管ceb
D.0.03mA 流進(jìn)三極管ceb

最新試題

CG放大器具有較()的輸入電阻和較()的輸出電阻。?

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

I=0.5mA,Vt=1.5V,k′n(W/L)=1mA/V2,VA足夠大。輸入輸出信號(hào)均通過電容耦合進(jìn)行傳輸(注意圖中未畫出電容),要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路,則RD=()kΩ。?

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?verilog語(yǔ)法中,間隔符號(hào)主要包括()。

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MOSFET做放大器,要想正常工作只需用電路提供合理的偏置使其工作在飽和區(qū)即可。???

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?數(shù)字頻率計(jì)采用4個(gè)數(shù)字的BCD碼計(jì)數(shù)器,若采樣時(shí)間0.01s,那么它能夠測(cè)量的最大頻率是多少?()

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用作電壓放大器時(shí),CS放大器不合適的參數(shù)為()。?

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?CD放大器的性能特征有()。?

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?電路如圖所示,如果電容C2開路,則MOSFET的漏極直流電壓將會(huì)(),漏極交流電壓將會(huì)(),增益將會(huì)()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

現(xiàn)在定義了一個(gè)1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co,sub}=a+b+ci,其中a,b為兩個(gè)加數(shù),ci為來自低位的進(jìn)位,sum為和,co為向高位的進(jìn)位,如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器,同時(shí)定義頂層模塊中的端口信號(hào)和中間變量的定義:下面通過層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題