A.鍺
B.塑料
C.銅
D.云母
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A.輸入電阻小,輸出電阻大
B.輸入電阻小,輸出電阻小
C.輸入電阻大,輸出電阻小
D.輸入電阻大,輸出電阻大
A.截止區(qū)
B.放大區(qū)
C.飽和區(qū)
D.擊穿區(qū)
A.基極、集電極、發(fā)射極
B.發(fā)射極、基極、集電極
C.集電極、發(fā)射極、基極
D.集電極、基極、發(fā)射極
A.60
B.75
C.80
D.100
A.發(fā)射極、基極、集電極
B.集電極、基極、發(fā)射極
C.集電極、發(fā)射極、基極
D.基極、集電極、發(fā)射極
最新試題
?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示,當輸入為以下哪種狀態(tài)時會出現(xiàn)冒險現(xiàn)象?()
I=0.5mA,Vt=1.5V,k′n(W/L)=1mA/V2,VA足夠大。輸入輸出信號均通過電容耦合進行傳輸(注意圖中未畫出電容),要實現(xiàn)增益為15倍的放大電路,則RD=()kΩ。?
?數(shù)字頻率計設(shè)計中的測頻計數(shù)模塊共有多少個狀態(tài)?()
?verilog語法中,間隔符號主要包括()。
?CG放大器的性能描述合理的是()。
?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為()。
?在verilogHDL的數(shù)字表達方式用,和十進制數(shù)127表示的數(shù)字相同的表達方式有()。
?MOSFET源極漏極間的長度L越大,溝道長度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合,則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時,柵極直流電壓將會(),漏極直流電流將會(),輸入電阻將會()。
MOSFET做放大器,要想正常工作只需用電路提供合理的偏置使其工作在飽和區(qū)即可。???