A.NEMOSFET
B.NDMOSFET
C.PEMOSFET
D.PDMOSFET
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A.該放大器為互導(dǎo)放大器
B.該放大器為互阻放大器
C.理想情況下該放大器輸入電阻極高
D.理想情況下該放大器輸入電阻極低
E.理想情況下該放大器輸出電阻極高
F.理想情況下該放大器輸出電阻極低
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
A.狀態(tài)1：飽和區(qū)；狀態(tài)2：飽和區(qū)
B.狀態(tài)1：截止區(qū)；狀態(tài)2：飽和區(qū)
C.狀態(tài)3：變阻區(qū)；狀態(tài)4：飽和區(qū)
D.狀態(tài)3：飽和區(qū)；狀態(tài)4：變阻區(qū)
A.1，100
B.0.5，50
C.1，50
D.2，100
電路如圖所示，要使得晶體管工作在飽和區(qū)，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知該NMOS晶體管的Vt=0.7V，L=1μm，W=32μm，k′n=100μA/V2，忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng)，則電阻RS=（）kΩ，RD=（）kΩ。
A.5，3.25
B.4，6
C.3，7
D.3.25，5
A.最高，最高
B.最高，最低
C.最低，最高
D.最低，最低
最新試題
?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為（）。
?verilogHDL的基本結(jié)構(gòu)中通常需要進(jìn)行模塊范圍的定義，VerilogHDL的模塊范圍的定義的開始和結(jié)束方式是（）。
?CG放大器的性能描述合理的是（）。
一塊通用面包板，公共條是三?四?三分段連通型，那么這塊板上最多有（）個插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
CG放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?
?某次電路實驗中，一同學(xué)按如下電路圖連接電路，完成實驗。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實驗過程中，該同學(xué)觀測到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請問此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。
可以通過新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核？（）
CD放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?????
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
?數(shù)字頻率計采用4個數(shù)字的BCD碼計數(shù)器，若采樣時間0.01s，那么它能夠測量的最大頻率是多少？（）