判斷題所謂MOS管的正向偏置是指門極、源極和漏極都處于正電位，而襯底位于零電位。
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4.多項選擇題關(guān)于pn結(jié)空間電荷區(qū)的說法正確的有（）。
A.寬度大約幾百個微米
B.其寬度與外加偏置電壓大小有關(guān)
C.反向偏置寬度增大
D.正向偏置寬度增大
E.內(nèi)部存在著熱平衡載流子
F.與p區(qū)和n區(qū)相比最容易失效
5.多項選擇題pn結(jié)正向偏置時，下列說法正確的有（）。
A.p區(qū)向n區(qū)擴散空穴
B.n區(qū)向p區(qū)擴散電子
C.p區(qū)進(jìn)入n區(qū)的空穴多于n區(qū)進(jìn)入p區(qū)的空穴
D.n區(qū)進(jìn)入p區(qū)的電子多于p區(qū)進(jìn)入n區(qū)的電子
最新試題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型：判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
題型：判斷題
實際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題