MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。