半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。