晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。