半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。