MOS管閾值電壓的單位是eV。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。