問(wèn)答題什么是外延層？為什么在硅片上使用外延層？
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問(wèn)答題自摻雜效應(yīng)與互擴(kuò)散效應(yīng)
2.問(wèn)答題Wafer的中文含義是什么？目前常用的材料有哪兩種？
3.問(wèn)答題外延工藝按方法可分為哪些？
4.問(wèn)答題按制備時(shí)有無(wú)使用坩堝分為兩類，有坩堝分為？無(wú)坩堝分為？
5.問(wèn)答題一定溫度，雜質(zhì)在晶體中具有最大平衡濃度，這一平衡濃度就稱為什么？
最新試題
晶體管正常使用過(guò)程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。
題型：填空題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。
題型：填空題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
題型：填空題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
題型：判斷題