雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

半導(dǎo)體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。