絕緣層材料的厚度會(huì)對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。