多項(xiàng)選擇題影響CVD質(zhì)量的因素有（）

A.沉積溫度
B.反應(yīng)氣體的比例
C.基體材料
D.壓強(qiáng)


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1.多項(xiàng)選擇題蒸鍍制膜主要包括的物理階段有（）

A.淀積材料蒸發(fā)或升華為氣態(tài)
B.原子從蒸發(fā)源輸運(yùn)到基片
C.蒸氣粒子在基片上沉積
D.粒子在基片表面重排凝結(jié)成膜

2.多項(xiàng)選擇題提拉法生長單晶體的優(yōu)點(diǎn)有（）

A.可以直接觀察晶體的生長狀況，為控制晶體外形提供了有利條件
B.晶體在熔體的自由表面處生長，能夠顯著減小晶體的應(yīng)力
C.可以得到不同取向的單晶體，降低位錯密度
D.能夠以較快的速度生長較高質(zhì)量的晶體

3.多項(xiàng)選擇題適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

A.沒有破壞性相變
B.較低的蒸氣壓
C.同成分熔化
D.純元素

4.多項(xiàng)選擇題關(guān)于光滑界面與粗糙界面，下列說法正確的有（）

A.光滑界面是以不連續(xù)的方式生長。
B.光滑界面的生長又稱為側(cè)向生長。
C.粗糙界面的生長能連續(xù)地生長
D.粗糙界面的生長又稱為層狀生長

5.單項(xiàng)選擇題完全光滑界面的生長是通過（）而進(jìn)行的。

A.臺階的產(chǎn)生
B.扭折的產(chǎn)生
C.臺階的運(yùn)動
D.扭折的運(yùn)動