多項選擇題晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個階段。
A.形成
B.孵化
C.生長
D.團聚
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1.多項選擇題降溫法生長關鍵控制技術包括（）等。
A.精確控制降溫速率
B.合理的供熱方式和攪拌程序
C.輕放輕取不引入應力
D.選擇合理的生長速率
2.單項選擇題膜層與基片的結合強度相比較：（）。
A.蒸鍍〉濺射〉離子鍍
B.蒸鍍〉濺射〈離子鍍
C.蒸鍍〈濺射〉離子鍍
D.蒸鍍〈濺射〈離子鍍
3.單項選擇題氣相生長晶體的關鍵是（）
A.嚴格選擇和控制生長條件
B.溫場的合理設計
C.儀器控制靈敏
D.外界環(huán)境振動干擾較少
4.單項選擇題氣相生長的基本原理：氣相原子或分子運動到晶體表面，在一定的條件下被晶體吸收，形成穩(wěn)定的（）。俘獲吸附原子，臺階運動蔓延整個表面，便生長一層晶體薄膜。
A.二維晶核
B.臺階
C.扭折
D.團簇
5.單項選擇題什么是非奇異面？（）
A.取向在奇異面鄰近的晶面
B.表面能級圖中極小值的點所對應的晶面
C.表面能級圖中極大值的點所對應的晶面
D.除了奇異面和鄰位面以外的面
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題型：多項選擇題
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