單項(xiàng)選擇題完全光滑界面的生長是通過（）而進(jìn)行的。

A.臺階的產(chǎn)生
B.扭折的產(chǎn)生
C.臺階的運(yùn)動
D.扭折的運(yùn)動


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1.多項(xiàng)選擇題晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個(gè)階段。

A.形成
B.孵化
C.生長
D.團(tuán)聚

2.多項(xiàng)選擇題降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。

A.精確控制降溫速率
B.合理的供熱方式和攪拌程序
C.輕放輕取不引入應(yīng)力
D.選擇合理的生長速率

3.單項(xiàng)選擇題膜層與基片的結(jié)合強(qiáng)度相比較：（）。

A.蒸鍍〉濺射〉離子鍍
B.蒸鍍〉濺射〈離子鍍
C.蒸鍍〈濺射〉離子鍍
D.蒸鍍〈濺射〈離子鍍

4.單項(xiàng)選擇題氣相生長晶體的關(guān)鍵是（）

A.嚴(yán)格選擇和控制生長條件
B.溫場的合理設(shè)計(jì)
C.儀器控制靈敏
D.外界環(huán)境振動干擾較少