多項(xiàng)選擇題關(guān)于溶膠凝膠法，下面哪些說法是正確的？（）

A.溶膠凝膠法制膜反應(yīng)溫度低，均勻性好，化學(xué)組分可以精確控制，設(shè)備簡單，成本低，制備的薄膜致密性好，適合工業(yè)生產(chǎn)。
B.溶膠是指有膠體顆粒分散懸浮于其中的液體。
C.凝膠是指內(nèi)部成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，網(wǎng)絡(luò)間隙中含有液體的固體。
D.溶膠凝膠法適合制備大面積薄膜。


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1.多項(xiàng)選擇題關(guān)于液相燒結(jié)正確的說法有（）

A.細(xì)顆粒有利于液相燒結(jié)
B.燒結(jié)過程中產(chǎn)生的大量液相有利于燒結(jié)進(jìn)行
C.提高溫度對致密化有利
D.固液相間的接觸角愈小，對燒結(jié)愈有利

2.多項(xiàng)選擇題影響CVD質(zhì)量的因素有（）

A.沉積溫度
B.反應(yīng)氣體的比例
C.基體材料
D.壓強(qiáng)

3.多項(xiàng)選擇題蒸鍍制膜主要包括的物理階段有（）

A.淀積材料蒸發(fā)或升華為氣態(tài)
B.原子從蒸發(fā)源輸運(yùn)到基片
C.蒸氣粒子在基片上沉積
D.粒子在基片表面重排凝結(jié)成膜

4.多項(xiàng)選擇題提拉法生長單晶體的優(yōu)點(diǎn)有（）

A.可以直接觀察晶體的生長狀況，為控制晶體外形提供了有利條件
B.晶體在熔體的自由表面處生長，能夠顯著減小晶體的應(yīng)力
C.可以得到不同取向的單晶體，降低位錯(cuò)密度
D.能夠以較快的速度生長較高質(zhì)量的晶體

5.多項(xiàng)選擇題適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

A.沒有破壞性相變
B.較低的蒸氣壓
C.同成分熔化
D.純元素