高溫反應受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。

靜高壓高溫直接轉變合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外，還要加其它催化劑，而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉變或化合成新物質。

在CVD 技術中反應劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質，且有很高的純度。

光學高溫計只要選取一定的波長，通常選λ=0.78μm。

化學氣相沉積乃是通過化學反應的方式，利用加熱、等離子激勵或光輻射等各種能源，在反應器內使氣態(tài)的化學物質在氣相或氣固界面上經化學反應形成固態(tài)沉積物的技術。

高壓高溫合成法目的是尋求經卸壓降溫后的高壓高溫合成產物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結構和性能的新材料。

人們通常把能夠從密閉容器中排出氣體或使容器中的氣體分子數(shù)目不斷減少的設備稱為真空獲得設備或真空泵。

吸附平衡關系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

雙膜理論中在膜層以外的氣、液兩相主體中，由于流體充分湍動，吸收質濃度是不均勻的。