簡述真空蒸鍍的原理。

簡述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。

CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考⒊练e反應室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。

在CVD 技術中反應劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質，且有很高的純度。

表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內的晶格常數(shù)，而晶胞結構變化，這種情況稱為馳豫。

MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。

CVD 技術中通過沉積反應易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。

紅外輻射溫度計測量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。

渦流擴散是在有濃度差異條件下，物質通過渦流流體的傳遞過程。

吸附質從流體主體通過分子與對流擴散穿過薄膜或邊界層傳遞到吸附劑的外表面，稱之為外擴散過程。