界面張力的大小反映界面熱力學的穩(wěn)定性。

低壓下從石墨轉(zhuǎn)變成金剛石是一個典型的反自發(fā)方向進行的反應，它依靠自發(fā)的氫原子耦合反應的推動來實現(xiàn)。

表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內(nèi)的晶格常數(shù)，而晶胞結(jié)構變化，這種情況稱為馳豫。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強材料斷裂強度和抗震性能。

高溫反應受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

活性炭對物質(zhì)的吸附是對極性基團少的化合物的吸附力大于極性基團多的化合物。

吸附平衡關系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

CVD 技術中通過沉積反應易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。

簡述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。

利用熱電偶的電勢與加熱元件的溫度有關，元件的溫度又與氣體的熱傳導有關，熱傳導量又與壓力成反比的原理來測量真空度的真空計。