單項選擇題II-VI族化合物中的M空位Vm是（）。
A.點陣中的金屬原子間隙
B.一種在禁帶中引入施主的點缺陷
C.點陣中的點陣中的金屬原子空位
D.一種在禁帶中引入受主的位錯
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1.單項選擇題電子在晶體中的共有化運(yùn)動是指（）。
A.電子在晶體中各處出現(xiàn)的幾率相同
B.電子在晶體原胞中各點出現(xiàn)的幾率相同
C.電子在晶體各原胞對應(yīng)點出現(xiàn)的幾率相同
D.電子在晶體各原胞對應(yīng)點的相位相同
2.單項選擇題最小電導(dǎo)率出現(xiàn)在（）型半導(dǎo)體。
A.n
B.p
C.本征
3.問答題硝酸（HNO3）。
4.問答題鹽酸（HCl）。
5.問答題氫氧化鈉。
最新試題
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。
題型：判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
實際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題