雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

（）是最早實現提純和完美晶體生長的半導體材料。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產最主要的一種是（）。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

柵極材料與半導體材料的功函數差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。