p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。