雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。