單項選擇題下列哪種方法不屬于化學(xué)反應(yīng)沉積鍍膜法?()
A.化學(xué)鍍
B.浸鍍
C.電鍍
D.溶液水解鍍膜法
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1.多項選擇題屬于影響成核過程的因素有()
A.溫度
B.凝聚系數(shù)
C.表面吸附氣體
D.表面覆蓋率
2.多項選擇題薄膜的生長過程主要包含哪幾種類型?()
A.核生長型
B.層生長型
C.層核生長型
D.層間生長型
3.單項選擇題在島的結(jié)合過程中,大島和小島相結(jié)合而部分消失,得到微晶具有()的結(jié)晶取向。
A.大島
B.小島
C.基體
D.大島和小島邊界層
4.單項選擇題不屬于影響成核過程的因素有()
A.基片表面存在的成核位壘
B.蒸發(fā)速率
C.表面擴(kuò)散系數(shù)
D.升華熱Qs
5.多項選擇題凝聚開始的條件主要取決于()
A.解吸能的大小
B.升華熱的大小
C.解吸能與升華熱的差值
D.解吸能與生化熱的比值
最新試題
關(guān)于溶膠凝膠法,下面哪些說法是正確的?()
題型:多項選擇題
陶瓷燒結(jié)按照()的不同可分為固相燒結(jié)和液相燒結(jié)。
題型:單項選擇題
晶體生長大致可以分為晶核的()兩個階段。
題型:多項選擇題
不同金屬由于結(jié)構(gòu)不同,其能量表面能最低晶面也不相同,K,Na金屬為體心立方結(jié)構(gòu),其最小奇異面是()
題型:單項選擇題
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按照坯料的性能可將成形方法分為哪幾類?()
題型:多項選擇題
膜層與基片的結(jié)合強度相比較:()。
題型:單項選擇題
適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有()
題型:多項選擇題
化學(xué)溶液鍍膜法主要包括()
題型:多項選擇題
使參與反應(yīng)的氣態(tài)源交替地以脈沖方式分別射向襯底進(jìn)行外延生長的方法是()
題型:單項選擇題