多項(xiàng)選擇題屬于影響成核過程的因素有()
A.溫度
B.凝聚系數(shù)
C.表面吸附氣體
D.表面覆蓋率
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1.多項(xiàng)選擇題薄膜的生長(zhǎng)過程主要包含哪幾種類型?()
A.核生長(zhǎng)型
B.層生長(zhǎng)型
C.層核生長(zhǎng)型
D.層間生長(zhǎng)型
2.單項(xiàng)選擇題在島的結(jié)合過程中,大島和小島相結(jié)合而部分消失,得到微晶具有()的結(jié)晶取向。
A.大島
B.小島
C.基體
D.大島和小島邊界層
3.單項(xiàng)選擇題不屬于影響成核過程的因素有()
A.基片表面存在的成核位壘
B.蒸發(fā)速率
C.表面擴(kuò)散系數(shù)
D.升華熱Qs
4.多項(xiàng)選擇題凝聚開始的條件主要取決于()
A.解吸能的大小
B.升華熱的大小
C.解吸能與升華熱的差值
D.解吸能與生化熱的比值
5.多項(xiàng)選擇題水熱法制備水晶,為了使之具有足夠的溶解度并能以適當(dāng)?shù)乃俣冗M(jìn)行質(zhì)量良好的生長(zhǎng),需選擇合適的()。
A.溶劑
B.溫度
C.壓力
D.氣氛
最新試題
提拉法生長(zhǎng)單晶體的優(yōu)點(diǎn)有()
題型:多項(xiàng)選擇題
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題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
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題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
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題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
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題型:多項(xiàng)選擇題