1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。