MOS管閾值電壓的單位是eV。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

柵極材料與半導體材料的功函數差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數。