MOS管閾值電壓的單位是eV。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。