1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。