MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

絕緣層材料質量影響MOS管的閾值電壓。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產生影響。

MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。