晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。