雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。