理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產最主要的一種是（）。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

MOS管閾值電壓的單位是eV。