理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。

絕緣層材料質量影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質和缺陷。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。