（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時(shí)的柵極電壓。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。