半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時的柵極電壓。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。