單項選擇題由3級觸發(fā)器構(gòu)成的環(huán)型和扭環(huán)型計數(shù)器的計數(shù)模值依次為（）。
A.8和8
B.6和3
C.6和8
D.3和6
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題當(dāng)集成維持—阻塞D型觸發(fā)器的異步置0端RD＝0時，則觸發(fā)器的次態(tài)（）。
A.與CP和D有關(guān)
B.與CP和D無關(guān)
C.只與CP有關(guān)
D.只與D有關(guān)
2.單項選擇題用8級觸發(fā)器可以記憶（）種不同的狀態(tài)。
A.8
B.16
C.128
D.256
3.單項選擇題維持—阻塞D觸發(fā)器是（）。
A.下降沿觸發(fā)
B.上升沿觸發(fā)
C.高電平觸發(fā)
D.低電平觸發(fā)
4.單項選擇題若JK觸發(fā)器的原狀態(tài)為0，欲在CP作用后仍保持為0狀態(tài)，則激勵函數(shù)JK的值應(yīng)是（）。
A.J=l，K=I
B.J=0，K=0
C.J=0，K=d
D.J=l，K=d
5.單項選擇題已知R、S是與門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器的輸入端，則約束條件為（）。
A.RS＝0
B.R＋S=I
C.RS＝l
D.R＋S=0
最新試題
試提出數(shù)字頻率計的三種設(shè)計方案，比較各種方案的特點。如果用HDPLD來實現(xiàn)，設(shè)計方案是最佳嗎？簡述理由。
題型：問答題
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài)，如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)？
題型：問答題
27系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：單項選擇題
用1M×4的DRAM芯片通過（）擴展可以獲得4M×8的存儲器。
題型：單項選擇題
DRAM4164有2根片選線（RAS和CAS）、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少？
題型：問答題
以下代碼中為無權(quán)碼的為（）。
題型：單項選擇題
用原碼輸出的譯碼器實現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù)，需要增加若干個（）。
題型：單項選擇題
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
題型：單項選擇題
雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路？請說明理由。
題型：問答題
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是（）。
題型：單項選擇題