單項選擇題屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
A、位錯
B、層錯
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯
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1.單項選擇題簡述光生伏特效應(yīng)中正確的是（）
A、用能量小于禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)；
B、p、n區(qū)都產(chǎn)生電子—空穴對，產(chǎn)生平衡載流子；
C、平衡載流子破壞原來的熱平衡；
D、非平衡載流子在內(nèi)建電場作用下，n區(qū)空穴向p區(qū)擴(kuò)散，p區(qū)電子向n區(qū)擴(kuò)散；若p-n結(jié)開路，在結(jié)的兩邊積累電子—空穴對，產(chǎn)生開路電壓。
2.單項選擇題單晶硅晶胞常數(shù)為0.543nm，則（111）的面間距是多少？（）
A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm
3.單項選擇題用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
A、低于
B、等于或大于
C、大于
4.單項選擇題半導(dǎo)體材料的電阻率與載流子濃度有關(guān)，同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電阻率（）
A、越高
B、不確定
C、越低
D、不變
5.單項選擇題屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
A、位錯
B、螺旋位錯
C、肖特基缺陷
D、層錯
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題