A、用能量小于禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)；
B、p、n區(qū)都產(chǎn)生電子—空穴對(duì)，產(chǎn)生平衡載流子；
C、平衡載流子破壞原來的熱平衡；
D、非平衡載流子在內(nèi)建電場(chǎng)作用下，n區(qū)空穴向p區(qū)擴(kuò)散，p區(qū)電子向n區(qū)擴(kuò)散；若p-n結(jié)開路，在結(jié)的兩邊積累電子—空穴對(duì)，產(chǎn)生開路電壓。
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A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm
A、低于
B、等于或大于
C、大于
A、越高
B、不確定
C、越低
D、不變
A、位錯(cuò)
B、螺旋位錯(cuò)
C、肖特基缺陷
D、層錯(cuò)
A、分凝
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、損壞
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
可用作硅片的研磨材料是（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）