單項(xiàng)選擇題鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
A.頭尾料和鍋底料中含有的氧
B.晶體生長(zhǎng)過程中硅熔體與石英坩堝作用引入的氧
C.石墨加熱器與坩堝反應(yīng)引入的氧
D.外界空氣的進(jìn)入
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1.單項(xiàng)選擇題制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
A.氧及其相關(guān)缺陷
B.參雜濃度
C.以間隙鐵為主的過渡族金屬雜質(zhì)
D.材料中的缺陷密度及其分布
2.單項(xiàng)選擇題改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
A.高能耗
B.成本低
C.產(chǎn)量高
D.質(zhì)量穩(wěn)定
3.單項(xiàng)選擇題多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
A、1234
B、123
C、2457
D、4567
4.單項(xiàng)選擇題直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
A、6
B、2
C、4
D、5
5.單項(xiàng)選擇題那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題