單項(xiàng)選擇題函數(shù)Y=ABC+A+ADE(F+G)的最簡(jiǎn)式為()。

A.ABC
B.ADE
C.ADEG
D.A


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1.單項(xiàng)選擇題下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。

A.邏輯函數(shù)的表達(dá)方法有真值表、邏輯表達(dá)式、邏輯圖和卡諾圖
B.真值表是將邏輯函數(shù)的最小項(xiàng)按一定規(guī)律排列成正方形或矩形
C.有了某函數(shù)的一種表示方法,就可以轉(zhuǎn)換成其他表示方法
D.在電路的分析設(shè)計(jì)中,一般先列寫真值表,再根據(jù)真值表列寫出函數(shù)關(guān)系式

2.單項(xiàng)選擇題已知Y=A+BC,則下列說(shuō)法正確的是()。

A.當(dāng)A=0、B=1、C=0時(shí),Y=1
B.當(dāng)A=0、B=0、C=1時(shí),Y=1
C.當(dāng)A=1、B=0、C=0時(shí),Y=1
D.當(dāng)A=1、B=0、C=0時(shí),Y=0

3.單項(xiàng)選擇題下列邏輯代數(shù)基本運(yùn)算關(guān)系式中不正確的是()。

A.A+A=A
B.A*A=A
C.A+0=0
D.A+1=1

5.單項(xiàng)選擇題有三個(gè)輸入端的或非門電路,要求輸出高電平,其輸入端應(yīng)是()。

A.全部為高電平
B.至少一個(gè)端為低電平
C.全部為低電平
D.至少一個(gè)端為高電平

最新試題

若ROM有13根地址輸入線,8根數(shù)據(jù)輸出線,則該ROM的容量為()位。

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如果一個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中有m位地址線,則應(yīng)有()個(gè)存儲(chǔ)單元,若輸出位數(shù)為n位,則其存儲(chǔ)容量為()位。

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施密特觸發(fā)器的主要功能是()。

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下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。

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如果異步二進(jìn)制計(jì)數(shù)器的觸發(fā)器個(gè)數(shù)為10個(gè),則計(jì)數(shù)狀態(tài)有()種。

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RAM的基本結(jié)構(gòu)包含地址譯碼器、存儲(chǔ)矩陣和讀寫電路三大部分。一個(gè)RAM芯片有11個(gè)地址輸入端,8個(gè)數(shù)據(jù)輸出端,則該RAM芯片的容量是()位。

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555定時(shí)器構(gòu)成的施密特觸發(fā)器其回差電壓為()。

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一個(gè)8位的單極性D/A轉(zhuǎn)換器,最小分辨電壓△U=0.1V,則其滿度輸出電壓為()V。

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