單項(xiàng)選擇題如果異步二進(jìn)制計(jì)數(shù)器的觸發(fā)器個(gè)數(shù)為10個(gè),則計(jì)數(shù)狀態(tài)有()種。

A.20
B.200
C.1000
D.1024


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4.單項(xiàng)選擇題增加單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的定時(shí)電阻R的值可以使輸出脈沖的()。

A.寬度增加
B.幅度減小
C.幅度增加
D.寬度減小

5.單項(xiàng)選擇題關(guān)于可編程邏輯陣列PLA,下列說(shuō)法正確的是()。

A.PLA結(jié)構(gòu)是與門(mén)陣列固定連接,而或門(mén)陣列可編程
B.PLA結(jié)構(gòu)是或門(mén)陣列固定連接,而與門(mén)陣列可編程
C.PLA結(jié)構(gòu)是與門(mén)陣列和或門(mén)陣列都可以編程
D.PLA中,一個(gè)地址碼對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元是唯一的

最新試題

在異步二進(jìn)制計(jì)數(shù)器中,從0開(kāi)始計(jì)數(shù),當(dāng)十進(jìn)制數(shù)為60時(shí),需要觸發(fā)器的個(gè)數(shù)為()個(gè)。

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A/D轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換過(guò)程分為()4個(gè)步驟。

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RAM的基本結(jié)構(gòu)包含地址譯碼器、存儲(chǔ)矩陣和讀寫(xiě)電路三大部分。一個(gè)RAM芯片有11個(gè)地址輸入端,8個(gè)數(shù)據(jù)輸出端,則該RAM芯片的容量是()位。

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將一個(gè)最大幅值為5V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),要使模擬信號(hào)每變化10mV,數(shù)字信號(hào)的最低位發(fā)生變化,應(yīng)選用()位的A/D轉(zhuǎn)換器。

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有一個(gè)8位D/A轉(zhuǎn)換器,設(shè)它的滿度輸出電壓為25.5V,當(dāng)輸入數(shù)字量為11101101時(shí),輸出電壓為()V。

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已知某邏輯電路的真值表如表所示,則該邏輯電路的最簡(jiǎn)邏輯表達(dá)式為()。

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關(guān)于可編程邏輯陣列PLA,下列說(shuō)法正確的是()。

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三態(tài)輸出門(mén)可用于()。

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從信息的存儲(chǔ)情況分類(lèi),存儲(chǔ)器可以分為()兩大類(lèi)。

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施密特觸發(fā)器的主要功能是()。

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