A.ROM和RAM
B.EPROM和PROM
C.PLA和PAL
D.ROM和GAL
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A.64000位
B.13K×8位
C.8K×8位
D.8K位
A.m；m×n
B.2m；2n
C.2m；2n
D.2m；2m×n
A.當(dāng)4位二進(jìn)制數(shù)B>9時，P（A>B.=1
B.當(dāng)B3=A3時，P（A=B.=1
C.當(dāng)B3=A3、B2=0、A2=1時，P（A>B.=1
D.當(dāng)B3=A3、B2=1、A2=0時，P（A>B.=1
A.施密特觸發(fā)器
B.雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
D.多諧振蕩器
A.0
B.1
C.2
D.3
最新試題
能夠起到定時作用的觸發(fā)器是（）。
有一個8位D／A轉(zhuǎn)換器，設(shè)它的滿度輸出電壓為25．5V，當(dāng)輸入數(shù)字量為11101101時，輸出電壓為（）V。
一個4位串行數(shù)據(jù)，輸入4位移位寄存器，時鐘脈沖頻率為1kHz，經(jīng)過（）ms可以轉(zhuǎn)換為4位并行數(shù)據(jù)輸出。
已知Y=A+BC，則下列說法正確的是（）。
R-S觸發(fā)器的基本性質(zhì)是（）。
已知TTL門的UH=3．6V，UL=0．3V，UOFF=0．8V，UON=1．8V，則該門輸入高電平的噪聲容限為（）V。
一片存儲容量為8K的只讀存儲器ROM芯片應(yīng)該有（）條地址線。
三態(tài)輸出門可用于（）。
如果一個半導(dǎo)體存儲器中有m位地址線，則應(yīng)有（）個存儲單元，若輸出位數(shù)為n位，則其存儲容量為（）位。
增加單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的定時電阻R的值可以使輸出脈沖的（）。