單項(xiàng)選擇題下列哪一項(xiàng)不是天然水的三大雜質(zhì)？（）
A.懸浮物質(zhì)
B.揮發(fā)物質(zhì)
C.膠體物質(zhì)
D.溶解物質(zhì)
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1.單項(xiàng)選擇題失效表明離子交換樹脂可供交換的（）大為減少。
A.Cｌ¯
B.NA
C.H﹢和OH¯
D.CA
2.單項(xiàng)選擇題懸浮區(qū)熔法檢驗(yàn)多晶硅中基磷含量時，采用快速區(qū)熔法的工藝時，第一次區(qū)熔時，第一區(qū)熔區(qū)停留揮發(fā)時間（）左右。
A.3ｍｉｎ
B.5ｍｉｎ
C.7ｍｉｎ
D.10ｍｉｎ
3.單項(xiàng)選擇題光圖定向法結(jié)果直觀，操作（），誤差（）。
A．簡單較大
B．復(fù)雜較大
C．簡單較小
D．復(fù)雜較小
4.單項(xiàng)選擇題（）是影響硅器件成品率的一個重要因素，也是影響器件性能的穩(wěn)定性和可靠性的重要因素。
A.點(diǎn)缺陷
B.線缺陷
C.面缺陷
D.微缺陷
5.單項(xiàng)選擇題用冷熱探筆法測量（）半導(dǎo)體時，冷端帶正電，熱端帶負(fù)電。
A.P型
B.N
C.PN型
D.以上皆不是
最新試題
MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型：判斷題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。
題型：填空題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
題型：填空題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題